真空井式坩堝爐是由氧化鋯坩堝或者氧化爐坩堝。工作溫度區間800℃至1600℃。該系列設備的控制系統，具有安全可靠，操作簡單，控溫度高，保溫效果好，爐膛溫度均勻性高，可通氣氛抽真空等特點，廣泛應用于高等院校，科研院所，工礦企業等實驗和小批量生產。 真空井式坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速升降溫，具有真空裝置，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
主要用途：高校、科研院所、工礦企業主要用于煅燒真空或惰性氣體中的高純度化合物，退火或擴散半導體晶片，也可以用于烘燒或燒結陶瓷材料等。
技術參數